1.6nm、晶圆级超级封装、硅光子集成……台积电北美6大技能王炸

liukang20241天前166.SU吃瓜883

来历:网易新闻

明亮的1.6nm、晶圆级超级封装、硅光子集成……台积电北美6大技术王炸的视图

集微网报导,台积电于4月末在美国加利福尼亚州举行2024年北美技能论坛,发布其最新半导体制程技能A16(1.6nm)、下一代先进封装和3D芯片技能等6多半导体技能立异,引发业界重视。在全球开展人工智能(AI)的热潮之下,台积电凭仗其抢先的芯片技能、安稳扩增的产能,成为英伟达等AI芯片的最重要代工厂。

研究机构TechInsights陈述显现,台积电2023年总销售额到达692.76亿美元,成为全球半导体工业冠军。摩根大通(小摩)、摩根士丹利等金融服务机构均对台积电的后续开展给出达观猜测,小摩在最新陈述中以为,台积电在技能立异和先进封装范畴的抢先位置,以及在AI年代的关键作用,经过一系列技能打破,有望在未来几年继续坚持在半导体工业的抢先位置。

以下为台积电在2024北美论坛发布的六多半导体技能:

A16 1.6nm制程技能

台积电A16制程节点是其首个整合纳米片晶体管(nanosheet)以及反面供电技能“Super Power Rail”的节点,特别合适高功能核算(HPC)及人工智能(AI)运用,是台积电N2P制程的迭代。依据台积电此前发布的路线图,N2、N2P 2nm节点定于2025年量产,A16估计将于2026年下半年量产。

与2nm N2P节点比较,A16进步了晶体管密度和能效,在相同Vdd(正电源电压)下可完成8~10%的速度进步;在相同速度下,功耗能够下降15~20%。该技能能够协助数据中心核算芯片完成1.07~1.10倍的芯片密度。

台积电在北美峰会一起宣告A14工艺节点,估计将选用第二代纳米片晶体管以及更先进的反面供电网络,有望在2027~2028年开端出产,估计不会选用High NA EUV光刻机。

依据路线图,台积电1nm制程A10已在规划中。消息人士于2024年1月泄漏,台积电将更先进制程的1nm晶圆厂规划在嘉义科学园区,已派人前往方针地块勘察。这一选址离嘉义高铁站车程仅七分钟,往北串起台积电中科、竹科厂,往南串连南科厂及高雄厂,便于工程师通勤沟通。

NanoFlex立异纳米片晶体管

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台积电行将推出的N2制程工艺将选用NanoFlex立异纳米片晶体管技能,这是该公司在规划与技能协同优化方面的又一打破。NanoFlex为N2制程标准单元供给规划灵活性,其间矮小晶体管单元可完成更小的面积和更高能效,而高单元则最大极限进步功能。

客户能够在同一规划内优化小单元和大单元的组合,调整规划,以到达最佳功耗、功能和面积平衡。

N4C制程技能

台积电宣告推出N4C技能,是N4P的迭代,可下降8.5%的芯片本钱,方案于2025年量产。该技能供给具有高效面积使用率的根底IP和规划规矩,与广泛运用的N4P兼容,缩小芯片尺度并进步良率,为客户供给高性价比挑选。

CoWoS、SoIC和体系级晶圆(TSMC-SoW)

台积电表明,CoWoS先进封装已成为AI芯片的关键技能,被广泛选用,答应客户将更多的处理器内核与HBM高带宽存储堆叠封装在一起。

与此一起,集成芯片体系(SoIC)已成为三维芯片堆叠的抢先解决方案,客户正越来越多地将CoWoS与SoIC及其他组件调配运用,以完成终究的体系级封装(SiP)集成。

台积电宣告推出CoW-SoW封装技能(TSMC-SoW),根据台积电于2020年推出的InFO-SoW晶圆上体系集成技能迭代而成。经过晶圆级体系集成封装技能(SoW),能够在单片12英寸晶圆上制作大型芯片阵列,供给更强算力的一起,削减空间占用,并将每瓦功能进步多个数量级。此前特斯拉的Dojo D1超级芯片,就使用台积电的此类工艺完成,使用单片晶圆完成强壮算力。

据悉,特斯拉自研的Dojo D1超级芯片选用台积电7nm制程,并结合InFO-SoW先进封装、笔直供电结构制作而成,用于练习自动驾驭轿车AI大模型。参数方面,每个模组包含5×5总计25颗芯片,每个单芯片包含高达354个中心,因此片上SRAM换从总计达11GB,算力9050TFLOPS。

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台积电表明,首款SoW产品——根据集成扇出型封装(InFO)技能的纯逻辑晶圆已投入出产。使用CoWoS技能的CoW-SoW晶圆估计将于2027年面世,到时将能够集成SoIC、HBM和其他组件,创立强壮的单晶圆级体系,其核算才能能够与整个机架乃至整个服务器相媲美。这类芯片将具有巨大的面积,能够集成四个SoIC芯片+12个HBM存储芯片以及额定的I/O芯片,功率可达数千瓦。

硅光子集成COUPE

台积电正在开发紧凑型通用光子引擎(COUPE)技能,以支撑人工智能热潮带来的数据传输爆发式增加。COUPE选用SoIC-X芯片堆叠技能,在硅光子芯片堆叠电子芯片,并确保两片芯片之间最低的传输阻抗,能效比传统堆叠方法更高。

台积电方案在2025年将COUPE技能用于小尺度插拔式设备,速度可达1.6Tbps,比较当时最先进的800G以太网成倍进步。2026年,台积电将其整合入CoWoS封装中,作为一起封装光学器材(CPO)直接将光学衔接引进封装中,这样能够完成高达6.4Tbps的速度。第三个迭代版别有望进一步改善,速度翻倍至12.8Tbps。

轿车芯片先进封装

继2023年推出N3AE“Auto Early”制程后,台积电将继续经过整合先进芯片和先进封装,满意轿车客户对更高算力的需求,以及车规级认证的要求。台积电正在为高档辅佐驾驭体系(ADAS)、车辆操控和车载中心核算机等运用开发InFO-oS和CoWoS-R解决方案,方针是在2025年第四季度之前取得AEC-Q100 2级认证。

日前台积电法说会之后,大摩估计台积电Q2营收将环比增加5%~7%,并给出860元新台币的方针股价猜测。小摩猜测台积电本年毛利率维持在52%~54%区间,估计本年年底3nm产能将到达10万片规划,下一年将增加到15万片,并给出900元新台币的方针股价。小摩一起估计,台积电在未来3~4年内,在AI芯片的商场占有率仍将维持在90%以上,到2027年AI相关收入占比将升至总营收的25%。

台积电法说会、多场技能论坛往后,给商场释出稳健信号,包含花旗银行、美银证券、瑞银在内的金融机构,均对台积电给出全年营收增加的猜测。在人工智能商场需求继续增加的带动下,以及美日芯片工厂新产能的开释,估计台积电未来几年将继续领衔全球半导体工业,并凭仗技能实力坚持AI芯片范畴的龙头位置。

(校正/赵月)

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